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MOSFETs HXY NTH4LN040N65S3H-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： NTH4LN040N65S3H-HXY
点击复制 - 商品编号： G50964474
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 本N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的高压大电流特性，适用于多种功率转换与电源管理应用。其漏源电压VDSS为650V，支持在较高电压条件下稳定工作；漏极电流ID可达49A，能够满足对电流承载能力有较高要求的电路设计；导通电阻RDON低至33mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。该器件适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备及高性能电子装置中的高频开关电路，具有良好的热稳定性与长期运行可靠性。
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NTH4LN040N65S3H-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTH4LN040N65S3H-HXY 价格参考￥ 。 HXY NTH4LN040N65S3H-HXY 封装/规格： TO247-4L, 本N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的高压大电流特性，适用于多种功率转换与电源管理应用。其漏源电压VDSS为650V，支持在较高电压条件下稳定工作；漏极电流ID可达49A，能够满足对电流承载能力有较高要求的电路设计；导通电阻RDON低至33mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。该器件适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备及高性能电子装置中的高频开关电路，具有良好的热稳定性与长期运行可靠性。。你可以下载 NTH4LN040N65S3H-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NTH4LN040N65S3H-HXY
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