• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： NTH4L027N65S3F-HXY
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• 商品编号： G50964471
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力和优异的导电效率。其最大漏极电流ID可达97A，漏源电压VDSS支持650V，导通电阻RDON低至25mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件适用于高频开关电源、电力转换系统、新能源设备及精密电子控制电路等应用领域，在高负载与高效率要求的场景中表现出色，满足多样化电力管理需求。 本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力和优异的导电效率。其最大漏极电流ID可达97A，漏源电压VDSS支持650V，导通电阻RDON低至25mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件适用于高频开关电源、电力转换系统、新能源设备及精密电子控制电路等应用领域，在高负载与高效率要求的场景中表现出色，满足多样化电力管理需求。