• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： NTHL045N065SC1-HXY
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• 商品编号： G50964470
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性。其最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDON仅为33mΩ，可实现高效、低损耗的电力传输。碳化硅材料的应用提升了器件在高频与高温环境下的稳定性与可靠性。该MOSFET适用于电源转换装置、新能源发电系统、储能设备以及精密电子控制模块等场景，满足对功率密度和能效有较高要求的应用需求。 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性。其最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDON仅为33mΩ，可实现高效、低损耗的电力传输。碳化硅材料的应用提升了器件在高频与高温环境下的稳定性与可靠性。该MOSFET适用于电源转换装置、新能源发电系统、储能设备以及精密电子控制模块等场景，满足对功率密度和能效有较高要求的应用需求。