• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IMW65R030M1HXKSA1-HXY
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• 商品编号： G50964467
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有优异的导电性能与高效的开关特性。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS最高支持650V，导通电阻RDON低至33mΩ，适用于高频率、高效率的电力转换场景。该器件基于碳化硅材料，具备良好的热稳定性和耐高压能力，适合用于电源适配器、光伏逆变系统、储能设备及高性能电机控制等领域的功率管理应用。 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有优异的导电性能与高效的开关特性。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS最高支持650V，导通电阻RDON低至33mΩ，适用于高频率、高效率的电力转换场景。该器件基于碳化硅材料，具备良好的热稳定性和耐高压能力，适合用于电源适配器、光伏逆变系统、储能设备及高性能电机控制等领域的功率管理应用。