• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IPW60R070P6-HXY
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• 商品编号： G50964451
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和29A的最大连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至60mΩ，适用于高效率、高功率密度的开关电路设计。器件采用成熟稳定的制造工艺，具有良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、电机控制、储能系统及精密电子设备中的高频开关应用。封装形式可根据需求适配多种标准规格，便于在不同电路环境中安装与使用。 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和29A的最大连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至60mΩ，适用于高效率、高功率密度的开关电路设计。器件采用成熟稳定的制造工艺，具有良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、电机控制、储能系统及精密电子设备中的高频开关应用。封装形式可根据需求适配多种标准规格，便于在不同电路环境中安装与使用。