DMTH47M2LFVW-7-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMTH47M2LFVW-7-HXY 价格参考¥ 。 HXY DMTH47M2LFVW-7-HXY 封装/规格: DFN8L_3X3MM, 本N沟道场效应管(MOSFET)具有60A的漏极电流ID和40V的漏源电压VDSS,适用于多种中高功率电路设计。导通电阻RDON仅为6.9mΩ,有效降低导通状态下的功率损耗,提升系统整体效率。器件具备良好的热稳定性和耐用性,适合用于电源管理、DC-DC转换、电机驱动、储能设备以及其他对效率与可靠性有要求的电子电路应用场合。。你可以下载 DMTH47M2LFVW-7-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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