• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： PXN017-30QLJ-HXY
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• 商品编号： G50963745
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• 封装规格： PDFN-8(3x3)
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• 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达20A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为15mΩ。该器件适用于各类电源转换电路、高效能同步整流系统、电机驱动模块以及便携式高功率电子设备。其低导通电阻和优异的开关特性有助于降低能量损耗，提高电路运行效率。同时具备良好的热稳定性和耐压能力，适合用于对可靠性与性能有一定要求的中高功率场景。 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达20A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为15mΩ。该器件适用于各类电源转换电路、高效能同步整流系统、电机驱动模块以及便携式高功率电子设备。其低导通电阻和优异的开关特性有助于降低能量损耗，提高电路运行效率。同时具备良好的热稳定性和耐压能力，适合用于对可靠性与性能有一定要求的中高功率场景。