• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： NDS8435A-HXY
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• 商品编号： G50963744
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备良好的导电性能与稳定的电气参数。其最大漏极电流ID为11A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于多种中低压功率场景。导通电阻RDON仅为13mΩ，有助于减少功率损耗并提升整体效率。该器件常用于电源转换、电池管理、DC-DC变换器及各类便携式电子设备中，实现高效的开关控制功能。标准的封装形式便于集成与生产，满足多样化电路设计的需求。 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备良好的导电性能与稳定的电气参数。其最大漏极电流ID为11A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于多种中低压功率场景。导通电阻RDON仅为13mΩ，有助于减少功率损耗并提升整体效率。该器件常用于电源转换、电池管理、DC-DC变换器及各类便携式电子设备中，实现高效的开关控制功能。标准的封装形式便于集成与生产，满足多样化电路设计的需求。