AON7406 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AON7406 价格参考¥ 。 HXY AON7406 封装/规格: DFN8L_3X3MM, 本款N沟道场效应管(MOSFET)具有以下主要参数:最大漏极电流ID为20A,漏源击穿电压VDSS为30V,导通电阻RDON低至15mΩ,适合高效率功率转换应用。该器件采用先进工艺制造,具备良好的热稳定性和快速开关特性,适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。其低导通电阻有效降低了导通损耗,提升了系统整体效率,同时支持高频工作,满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。。你可以下载 AON7406 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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