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MOSFETs HXY FDMS86103L-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: FDMS86103L-HXY
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  • 商品编号: G50963700
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  • 封装规格: DFN-8(6x5)
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  • 商品描述: 本款N沟道场效应管(MOSFET)具有优异的导通性能与耐压能力,适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括:漏极电流ID为80A,漏源电压VDSS为100V,导通电阻RDON低至6.4mΩ,有效支持大电流工作并降低功率损耗。器件采用成熟稳定的制造工艺,具备良好的热管理特性与长期可靠性,可广泛应用于开关电源、同步整流电路、DC-DC转换及高密度电源模块等设计中,满足对效率与性能有较高要求的应用场景。

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型号:FDMS86103L-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY FDMS86103L-HXY
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FDMS86103L-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDMS86103L-HXY 价格参考¥ 。 HXY FDMS86103L-HXY 封装/规格: DFN-8(6x5), 本款N沟道场效应管(MOSFET)具有优异的导通性能与耐压能力,适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括:漏极电流ID为80A,漏源电压VDSS为100V,导通电阻RDON低至6.4mΩ,有效支持大电流工作并降低功率损耗。器件采用成熟稳定的制造工艺,具备良好的热管理特性与长期可靠性,可广泛应用于开关电源、同步整流电路、DC-DC转换及高密度电源模块等设计中,满足对效率与性能有较高要求的应用场景。。你可以下载 FDMS86103L-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: FDMS86103L-HXY

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