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MOSFETs HXY NTTFS015N04CTAG-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： NTTFS015N04CTAG-HXY
点击复制 - 商品编号： G50963545
点击复制 - 封装规格： DFN8L_3X3MM
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至12mΩ，栅源电压VGS为±20V。该器件采用高性能硅工艺，具备较低的导通损耗和高效的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高密度电源系统中。其封装设计便于散热与集成，可在多种高要求电路环境中稳定工作，提供可靠的能量传输表现。
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NTTFS015N04CTAG-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTTFS015N04CTAG-HXY 价格参考￥ 。 HXY NTTFS015N04CTAG-HXY 封装/规格： DFN8L_3X3MM, 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至12mΩ，栅源电压VGS为±20V。该器件采用高性能硅工艺，具备较低的导通损耗和高效的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高密度电源系统中。其封装设计便于散热与集成，可在多种高要求电路环境中稳定工作，提供可靠的能量传输表现。。你可以下载 NTTFS015N04CTAG-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NTTFS015N04CTAG-HXY
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