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MOSFETs VBsemi IPD600N25N3 G-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： IPD600N25N3 G-VB
点击复制 - 商品编号： G50959948
点击复制 - 封装规格： TO252
点击复制 - 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,250V；17A；RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于中高功率电子设备和模块。
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IPD600N25N3 G-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPD600N25N3 G-VB 价格参考￥ 。 VBsemi IPD600N25N3 G-VB 封装/规格： TO252, 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,250V；17A；RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于中高功率电子设备和模块。。你可以下载 IPD600N25N3 G-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPD600N25N3 G-VB
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