• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSI4925DDYT1GE3
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• 商品编号： G50948784
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： 这款P+P沟道场效应管(MOSFET)设计用于需要高效能和可靠性的电子电路中，支持的最大连续漏极电流为11A，能够承受最高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为14mΩ，有助于降低能耗并减少工作时产生的热量。栅源电压范围达到20V，适用于要求精确控制与快速响应的应用场合，如消费电子产品中的电源管理和信号处理等领域。凭借其优秀的电气特性和紧凑的封装形式，该MOSFET成为众多便携式及家用电器内部电路的理想选择。 这款P+P沟道场效应管(MOSFET)设计用于需要高效能和可靠性的电子电路中，支持的最大连续漏极电流为11A，能够承受最高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为14mΩ，有助于降低能耗并减少工作时产生的热量。栅源电压范围达到20V，适用于要求精确控制与快速响应的应用场合，如消费电子产品中的电源管理和信号处理等领域。凭借其优秀的电气特性和紧凑的封装形式，该MOSFET成为众多便携式及家用电器内部电路的理想选择。