• 品       牌：TI(德州仪器)
• 型       号： DRV5055Z2EDBZRQ1
  点击复制
• 商品编号： G50945043
  点击复制
• 封装规格： SOT23-3
  点击复制
• 商品描述： DRV5055-Q1是一款线性霍尔效应传感器，可按比例响应磁通量密度。该器件可用于在各种应用中进行精确的位置检测。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时，模拟输出可驱动 1/2VCC。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化，多个灵敏度选项可根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量，两个封装选项可提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构，当外部模数转换器(ADC)使用相同的 VCC 作为其基准电压时，可消除 VCC 容差产生的误差。此外，该器件具有磁体温度补偿功能，可抵消磁体漂移，在-40℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内实现线性性能。 DRV5055-Q1是一款线性霍尔效应传感器，可按比例响应磁通量密度。该器件可用于在各种应用中进行精确的位置检测。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时，模拟输出可驱动 1/2VCC。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化，多个灵敏度选项可根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量，两个封装选项可提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构，当外部模数转换器(ADC)使用相同的 VCC 作为其基准电压时，可消除 VCC 容差产生的误差。此外，该器件具有磁体温度补偿功能，可抵消磁体漂移，在-40℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内实现线性性能。