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MOSFETs HXY HN0400PZKE1AY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HN0400PZKE1AY
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  • 商品编号: G50917790
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  • 封装规格: TO252-2L
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  • 商品描述: 该P沟道场效应管(MOSFET)具备出色的电气特性,其最大连续漏极电流ID为25A,能够支持较大负载。漏源电压VDSS达到40V,保证了在较高电压应用中的可靠性。导通电阻RDON仅为31mΩ,有效降低了开关损耗和热产生,提高系统效率。栅源电压VGS范围至25V,确保了良好的驱动兼容性。这款MOSFET适合应用于需要高效能、低功耗转换的场合,例如消费电子产品中的电源管理电路或家用电器内的控制模块,以实现更加紧凑且节能的设计方案。

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型号:HN0400PZKE1AY
MOSFETs
MOSFETs HXY HN0400PZKE1AY
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HN0400PZKE1AYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HN0400PZKE1AY 价格参考¥ 。 HXY HN0400PZKE1AY 封装/规格: TO252-2L, 该P沟道场效应管(MOSFET)具备出色的电气特性,其最大连续漏极电流ID为25A,能够支持较大负载。漏源电压VDSS达到40V,保证了在较高电压应用中的可靠性。导通电阻RDON仅为31mΩ,有效降低了开关损耗和热产生,提高系统效率。栅源电压VGS范围至25V,确保了良好的驱动兼容性。这款MOSFET适合应用于需要高效能、低功耗转换的场合,例如消费电子产品中的电源管理电路或家用电器内的控制模块,以实现更加紧凑且节能的设计方案。。你可以下载 HN0400PZKE1AY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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