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MOSFETs HXY HNP36P04SDG
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNP36P04SDG
点击复制 - 商品编号： G50917788
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 该P沟道场效应管具有50A的连续漏极电流(ID)能力和40V的漏源电压(VDSS)，适用于需要高效能开关和放大电路的设计。其低至10mΩ的导通电阻(RDON)确保了在工作时减少能量损耗，而20V的栅源电压(VGS)则提供了良好的驱动兼容性。这款MOSFET特别适合于要求高效率、紧凑尺寸以及稳定性能的应用场景，如消费电子设备中的电源管理模块等。(NP36P04SDG-E1-AY)
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HNP36P04SDG 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNP36P04SDG 价格参考￥ 。 HXY HNP36P04SDG 封装/规格： TO252-2L, 该P沟道场效应管具有50A的连续漏极电流(ID)能力和40V的漏源电压(VDSS)，适用于需要高效能开关和放大电路的设计。其低至10mΩ的导通电阻(RDON)确保了在工作时减少能量损耗，而20V的栅源电压(VGS)则提供了良好的驱动兼容性。这款MOSFET特别适合于要求高效率、紧凑尺寸以及稳定性能的应用场景，如消费电子设备中的电源管理模块等。(NP36P04SDG-E1-AY)。你可以下载 HNP36P04SDG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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