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MOSFETs HXY HSNN1000L10D
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSNN1000L10D
点击复制 - 商品编号： G50914127
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受较高的工作电压和电流。其导通电阻（RDS(on)）仅为80mΩ，在大电流应用中可以有效减少发热，提高效率。该MOSFET的栅极阈值电压（VGS）为20V，确保了在高电压条件下稳定的工作性能。适用于开关电源、电机控制等高效率转换场景。
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HSNN1000L10D 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSNN1000L10D 价格参考￥ 。 HXY HSNN1000L10D 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受较高的工作电压和电流。其导通电阻（RDS(on)）仅为80mΩ，在大电流应用中可以有效减少发热，提高效率。该MOSFET的栅极阈值电压（VGS）为20V，确保了在高电压条件下稳定的工作性能。适用于开关电源、电机控制等高效率转换场景。。你可以下载 HSNN1000L10D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSNN1000L10D
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