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MOSFETs HXY HDMC3016LDV7
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HDMC3016LDV7
点击复制 - 商品编号： G50914126
点击复制 - 封装规格： DFN8L_3X3MM
点击复制 - 商品描述： 该场效应管(MOSFET)是一款高性能的N+P沟道器件，支持最大漏极电流16A，具备高达30V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为14毫欧姆(RDON)，保证了在工作时的低损耗特性。栅源电压(VGS)为20V，适用于多种电子设备中对效率和空间有较高要求的应用场景。此款MOSFET结合了N沟道与P沟道的优势，在电源管理、信号切换及放大电路等领域展现出优异性能。
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HDMC3016LDV7 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMC3016LDV7 价格参考￥ 。 HXY HDMC3016LDV7 封装/规格： DFN8L_3X3MM, 该场效应管(MOSFET)是一款高性能的N+P沟道器件，支持最大漏极电流16A，具备高达30V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为14毫欧姆(RDON)，保证了在工作时的低损耗特性。栅源电压(VGS)为20V，适用于多种电子设备中对效率和空间有较高要求的应用场景。此款MOSFET结合了N沟道与P沟道的优势，在电源管理、信号切换及放大电路等领域展现出优异性能。。你可以下载 HDMC3016LDV7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HDMC3016LDV7
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