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霍尔电流传感器 Novosense NSM2012-20B5R-DSPR
- 品 牌：Novosense(纳芯微)
- 型 号： NSM2012-20B5R-DSPR
点击复制 - 商品编号： G50902630
点击复制 - 封装规格： SOIC-8
点击复制 - 商品描述： NSM2012是一款集成路径电流传感器，具有1.2mΩ极低的导通电阻，减少了芯片上的热损耗。创新的隔离技术以及信号调理设计能够满足高隔离等级的同时感测流过内部Busbar的电流。内部采用差分霍尔对，因此对外部杂散磁场有很强的抵御能力。支持比例输出和固定输出模式，固定模式方便客户ADC差分采样Vref以及Vout的电压以减少外部共模干扰（比如温度等）。对比同样Shunt+隔离运放的电流采样方式，省去了原边供电并且Layout简单方便，同时具有极高隔离耐压以及Lifetime稳定性。在高边电流检测应用中只需用一颗NSM2012即可达到600Vpk工作电压，无需加任何保护器件即可耐受6kV浪涌电压。由于内部精确的温度补偿算法以及出厂精度校准，此电流传感器在全温度工作范围都可以保持很好的精度，客户无需做二次编程。支持3.3V/5V供电电压（不同供电版本）。
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NSM2012-20B5R-DSPR 由 Novosense 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NSM2012-20B5R-DSPR 价格参考￥ 。 Novosense NSM2012-20B5R-DSPR 封装/规格： SOIC-8, NSM2012是一款集成路径电流传感器，具有1.2mΩ极低的导通电阻，减少了芯片上的热损耗。创新的隔离技术以及信号调理设计能够满足高隔离等级的同时感测流过内部Busbar的电流。内部采用差分霍尔对，因此对外部杂散磁场有很强的抵御能力。支持比例输出和固定输出模式，固定模式方便客户ADC差分采样Vref以及Vout的电压以减少外部共模干扰（比如温度等）。对比同样Shunt+隔离运放的电流采样方式，省去了原边供电并且Layout简单方便，同时具有极高隔离耐压以及Lifetime稳定性。在高边电流检测应用中只需用一颗NSM2012即可达到600Vpk工作电压，无需加任何保护器件即可耐受6kV浪涌电压。由于内部精确的温度补偿算法以及出厂精度校准，此电流传感器在全温度工作范围都可以保持很好的精度，客户无需做二次编程。支持3.3V/5V供电电压（不同供电版本）。。你可以下载 NSM2012-20B5R-DSPR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 霍尔电流传感器 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NSM2012-20B5R-DSPR
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