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MOSFETs HXY HC2M0040065K

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HC2M0040065K
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  • 商品编号: G50900563
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  • 封装规格: TO247-4L
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  • 商品描述: ID:49A是一款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和45毫欧姆的导通电阻(RDON),在提高能效方面表现出色。其栅极-源极电压(VGS)范围为-4V至+18V,确保了器件在不同应用场景下的稳定性和灵活性。此款MOSFET适用于高效能量转换系统,如高频开关电源等环境,凭借其优异的开关速度和低损耗特性,能够显著提升系统的整体效能和响应速度,是高性能电源管理解决方案的理想选择。

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型号:HC2M0040065K
MOSFETs
MOSFETs HXY HC2M0040065K
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HC2M0040065KHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HC2M0040065K 价格参考¥ 。 HXY HC2M0040065K 封装/规格: TO247-4L, ID:49A是一款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和45毫欧姆的导通电阻(RDON),在提高能效方面表现出色。其栅极-源极电压(VGS)范围为-4V至+18V,确保了器件在不同应用场景下的稳定性和灵活性。此款MOSFET适用于高效能量转换系统,如高频开关电源等环境,凭借其优异的开关速度和低损耗特性,能够显著提升系统的整体效能和响应速度,是高性能电源管理解决方案的理想选择。。你可以下载 HC2M0040065K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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