• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
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• 商品编号： G50900562
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• 封装规格： TO-263-7
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• 商品描述： 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）型号ID:30A，具备1200V的漏源击穿电压VDSS，确保在高电压环境下的稳定性。其导通电阻RDON为75mΩ，在减少能量损耗方面表现出色，特别适用于高效能电力转换系统。栅源电压VGS范围从-4V到+18V，使得它在各种驱动条件下都能稳定工作。该产品凭借其优异的开关性能和低能耗特性，非常适合应用于高性能电源管理及转换解决方案中，是提升设备效能的理想选择。 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）型号ID:30A，具备1200V的漏源击穿电压VDSS，确保在高电压环境下的稳定性。其导通电阻RDON为75mΩ，在减少能量损耗方面表现出色，特别适用于高效能电力转换系统。栅源电压VGS范围从-4V到+18V，使得它在各种驱动条件下都能稳定工作。该产品凭借其优异的开关性能和低能耗特性，非常适合应用于高性能电源管理及转换解决方案中，是提升设备效能的理想选择。