• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IMZA65R048M1H-HXY
  点击复制
• 商品编号： G50900561
  点击复制
• 封装规格： TO247-4L
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:49A，具有650V的漏源击穿电压VDSS，适用于需要高耐压保护的应用场景。其导通电阻RDON仅为45mΩ，有助于减少功率损耗，提高能效。栅极源极电压VGS范围为-4V至+18V，确保了宽范围的操作条件下的稳定性与可靠性。此款MOSFET凭借其卓越的开关性能和低能耗特性，非常适合应用于高效电力转换系统，如高端电源管理和可再生能源设备中，是实现高性能、低维护解决方案的关键组件。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:49A，具有650V的漏源击穿电压VDSS，适用于需要高耐压保护的应用场景。其导通电阻RDON仅为45mΩ，有助于减少功率损耗，提高能效。栅极源极电压VGS范围为-4V至+18V，确保了宽范围的操作条件下的稳定性与可靠性。此款MOSFET凭借其卓越的开关性能和低能耗特性，非常适合应用于高效电力转换系统，如高端电源管理和可再生能源设备中，是实现高性能、低维护解决方案的关键组件。