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MOSFETs HXY UF3C065040K4S-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： UF3C065040K4S-HXY
点击复制 - 商品编号： G50900560
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： ID:49A是一款采用先进碳化硅技术的N沟道场效应管(MOSFET)，具有650V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于高效率能量转换应用。其导通电阻(RDON)仅为45毫欧姆，确保了低损耗和高效能。该器件的最大栅极-源极电压(VGS)为-4/+18V，保证了宽范围的操作稳定性和兼容性。凭借其卓越的开关性能和耐用性，ID:49A非常适合于需要高可靠性和性能的电源管理系统中，如高频开关电源等场合。
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UF3C065040K4S-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 UF3C065040K4S-HXY 价格参考￥ 。 HXY UF3C065040K4S-HXY 封装/规格： TO247-4L, ID:49A是一款采用先进碳化硅技术的N沟道场效应管(MOSFET)，具有650V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于高效率能量转换应用。其导通电阻(RDON)仅为45毫欧姆，确保了低损耗和高效能。该器件的最大栅极-源极电压(VGS)为-4/+18V，保证了宽范围的操作稳定性和兼容性。凭借其卓越的开关性能和耐用性，ID:49A非常适合于需要高可靠性和性能的电源管理系统中，如高频开关电源等场合。。你可以下载 UF3C065040K4S-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： UF3C065040K4S-HXY
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