• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNVATS4A104PZT4G
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• 商品编号： G50900202
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 这款P沟道MOSFET场效应管，具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），适用于要求严苛的电路设计。其导通电阻仅为5.5mΩ，确保了低功耗和高效能表现。该元件支持最高25V的栅源电压（VGS），能够稳定工作于各种电压环境中。此款MOSFET因其优异的电气特性，特别适合应用于需要快速开关响应和高效率转换的电子产品中，如电源管理、信号处理等场景。 这款P沟道MOSFET场效应管，具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），适用于要求严苛的电路设计。其导通电阻仅为5.5mΩ，确保了低功耗和高效能表现。该元件支持最高25V的栅源电压（VGS），能够稳定工作于各种电压环境中。此款MOSFET因其优异的电气特性，特别适合应用于需要快速开关响应和高效率转换的电子产品中，如电源管理、信号处理等场景。