alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY HSTD10P6F6

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HSTD10P6F6
    点击复制
  • 商品编号: G50900198
    点击复制
  • 封装规格: TO-252-2L(DPAK)
    点击复制
  • 商品描述: 这款P沟道场效应管(MOSFET)拥有10A的连续排水电流(ID),并能承受高达60V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为125毫欧,在20V的栅源电压(VGS)条件下工作。该MOSFET适用于消费电子产品的电源路径控制,例如在电池供电设备中作为开关或在数字设备中用于电压调节,其稳定的性能有助于保障设备的可靠运行。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:HSTD10P6F6
MOSFETs
MOSFETs HXY HSTD10P6F6
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

HSTD10P6F6HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSTD10P6F6 价格参考¥ 。 HXY HSTD10P6F6 封装/规格: TO-252-2L(DPAK), 这款P沟道场效应管(MOSFET)拥有10A的连续排水电流(ID),并能承受高达60V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为125毫欧,在20V的栅源电压(VGS)条件下工作。该MOSFET适用于消费电子产品的电源路径控制,例如在电池供电设备中作为开关或在数字设备中用于电压调节,其稳定的性能有助于保障设备的可靠运行。。你可以下载 HSTD10P6F6 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: HSTD10P6F6

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照