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栅极驱动 WXNSIC NSG21531DP

  • 品       牌:WXNSIC(国硅集成)
  • 型       号: NSG21531DP
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  • 商品编号: G50899610
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  • 封装规格: DIP-8
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  • 商品描述: NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压(1/6thVCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)DP 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。

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型号:NSG21531DP
栅极驱动
栅极驱动 WXNSIC NSG21531DP
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NSG21531DPWXNSIC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NSG21531DP 价格参考¥ 。 WXNSIC NSG21531DP 封装/规格: DIP-8, NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压(1/6thVCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)DP 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。。你可以下载 NSG21531DP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 栅极驱动 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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