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MOSFETs HXY HSI2309A
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSI2309A
点击复制 - 商品编号： G50898732
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 此款P沟道场效应管(MOSFET)具有2A的漏极电流(ID)能力和60V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于低压应用环境。其导通电阻(RDON)为160毫欧(mR)，保证了在导通状态下的低能耗。栅源电压(VGS)额定值为20V，确保了器件在各种操作条件下的稳定性与可靠性。该MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性，非常适合应用于电池供电设备及需要高效电源管理的电路中，满足对能效和空间布局有严格要求的设计需求。
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HSI2309A 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSI2309A 价格参考￥ 。 HXY HSI2309A 封装/规格： SOT-23, 此款P沟道场效应管(MOSFET)具有2A的漏极电流(ID)能力和60V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于低压应用环境。其导通电阻(RDON)为160毫欧(mR)，保证了在导通状态下的低能耗。栅源电压(VGS)额定值为20V，确保了器件在各种操作条件下的稳定性与可靠性。该MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性，非常适合应用于电池供电设备及需要高效电源管理的电路中，满足对能效和空间布局有严格要求的设计需求。。你可以下载 HSI2309A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSI2309A
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