HSi4155DY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSi4155DY 价格参考¥ 。 HXY HSi4155DY 封装/规格: SOP-8, 该P沟道场效应管(MOSFET)具备良好的导电性能,最大漏极电流可达12A,能够承受的最大漏源电压为30V。其低至10mΩ的导通电阻有助于减少功耗和发热,保证了高效运行。栅源电压范围在20V内,适用于各种需要精确控制与快速开关的应用场景,如电源管理、负载切换及信号放大等。这款MOSFET结合了紧凑设计与高可靠性特点,是电子设备中理想的开关元件选择。(SI4155DY-T1-GE3)。你可以下载 HSi4155DY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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