• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSQD45P0312GE3
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• 商品编号： G50895744
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• 封装规格： TO-252-2L(TO-252AA)
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• 商品描述： 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID），能够在30V的最大漏源电压（VDSS）下稳定工作。其导通电阻（RDSON）低至5.5毫欧，确保了高电流应用中的能效。该MOSFET支持±25V的栅源电压（VGS），适用于需要高效能开关特性的场合，例如高性能计算设备的电源管理单元、便携式充电设备以及其他注重能耗比的设计中作为负载开关或电源路径控制元件。 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID），能够在30V的最大漏源电压（VDSS）下稳定工作。其导通电阻（RDSON）低至5.5毫欧，确保了高电流应用中的能效。该MOSFET支持±25V的栅源电压（VGS），适用于需要高效能开关特性的场合，例如高性能计算设备的电源管理单元、便携式充电设备以及其他注重能耗比的设计中作为负载开关或电源路径控制元件。