• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HDMT36M1LPS13
  点击复制
• 商品编号： G50892278
  点击复制
• 封装规格： DFN-8(6x5)
  点击复制
• 商品描述： 该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有150A的最大连续排水电流（ID/A），能够在30V的最大工作电压（VDSS/V）下运作。其导通电阻（RDSON/mR）为3毫欧姆，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下表现出色。此MOSFET适合应用于需要高效电流处理能力的场合，例如高性能计算设备中的电源管理模块、消费类电子产品的负载开关以及高速信号处理设备中的电流调节等，确保系统在大电流下的稳定性和效率。 该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有150A的最大连续排水电流（ID/A），能够在30V的最大工作电压（VDSS/V）下运作。其导通电阻（RDSON/mR）为3毫欧姆，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下表现出色。此MOSFET适合应用于需要高效电流处理能力的场合，例如高性能计算设备中的电源管理模块、消费类电子产品的负载开关以及高速信号处理设备中的电流调节等，确保系统在大电流下的稳定性和效率。