上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY HDMC3025LDV7
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HDMC3025LDV7
点击复制 - 商品编号： G50889370
点击复制 - 封装规格： DFN8L_3X3MM
点击复制 - 商品描述： 这款场效应管(MOSFET)采用N+P沟道设计，能够承载最大16安培的漏极电流(ID)，并支持最高30伏特的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为14毫欧姆(RDON)，确保了在工作状态下的低能耗表现。该MOSFET的栅源电压(VGS)为20伏特，适用于需要精确控制和高效能转换的应用场合，如消费电子产品中的电源管理、信号处理以及各种开关电路中，表现出色。
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
HDMC3025LDV7 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMC3025LDV7 价格参考￥ 。 HXY HDMC3025LDV7 封装/规格： DFN8L_3X3MM, 这款场效应管(MOSFET)采用N+P沟道设计，能够承载最大16安培的漏极电流(ID)，并支持最高30伏特的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为14毫欧姆(RDON)，确保了在工作状态下的低能耗表现。该MOSFET的栅源电压(VGS)为20伏特，适用于需要精确控制和高效能转换的应用场合，如消费电子产品中的电源管理、信号处理以及各种开关电路中，表现出色。。你可以下载 HDMC3025LDV7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HDMC3025LDV7
工商网监