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MOSFETs HXY HFQD11P06TM
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HFQD11P06TM
点击复制 - 商品编号： G50870110
点击复制 - 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
点击复制 - 商品描述： 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流能力，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，保证了高效的电流传导和较低的功率损耗。栅源电压范围为20V，适合于需要精确控制的应用场合。凭借这些特性，该MOSFET适用于电源管理、负载开关以及各种消费电子设备中，以实现稳定可靠的电路性能。
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HFQD11P06TM 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HFQD11P06TM 价格参考￥ 。 HXY HFQD11P06TM 封装/规格： TO-252-2L(DPAK), 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流能力，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，保证了高效的电流传导和较低的功率损耗。栅源电压范围为20V，适合于需要精确控制的应用场合。凭借这些特性，该MOSFET适用于电源管理、负载开关以及各种消费电子设备中，以实现稳定可靠的电路性能。。你可以下载 HFQD11P06TM 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HFQD11P06TM
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