• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HAON7407
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• 商品编号： G50860478
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• 封装规格： DFN8L_3X3MM
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• 商品描述： 这款P沟道场效应管（MOSFET）支持最高30A的连续漏极电流（ID），并在20V的最大漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为12毫欧，在栅源电压（VGS）为12V时提供优异的导电性能。该MOSFET适用于各类电子设备中的负载开关、电源管理和逻辑电平转换等应用，有助于简化电路设计并提高系统的整体效率。 这款P沟道场效应管（MOSFET）支持最高30A的连续漏极电流（ID），并在20V的最大漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为12毫欧，在栅源电压（VGS）为12V时提供优异的导电性能。该MOSFET适用于各类电子设备中的负载开关、电源管理和逻辑电平转换等应用，有助于简化电路设计并提高系统的整体效率。