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MOSFETs HXY HSi2377EDST1GE3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSi2377EDST1GE3
点击复制 - 商品编号： G50860104
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有4.2A的最大连续漏极电流（ID）和20V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDON）为48毫欧，在12V栅源电压（VGS）条件下表现出色。该MOSFET适用于多种电路设计，如电源管理、电池保护以及电子设备中的开关应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统的效率和稳定性。
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HSi2377EDST1GE3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSi2377EDST1GE3 价格参考￥ 。 HXY HSi2377EDST1GE3 封装/规格： SOT-23, 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有4.2A的最大连续漏极电流（ID）和20V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDON）为48毫欧，在12V栅源电压（VGS）条件下表现出色。该MOSFET适用于多种电路设计，如电源管理、电池保护以及电子设备中的开关应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统的效率和稳定性。。你可以下载 HSi2377EDST1GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSi2377EDST1GE3
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