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MOSFETs HXY HNVATS4A103PZ
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNVATS4A103PZ
点击复制 - 商品编号： G50859597
点击复制 - 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
点击复制 - 商品描述： 此款P沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流（ID/A）可达50A，最大漏源电压（VDSS/V）为30V，导通电阻（RDON/mR）仅为9.5mΩ，且支持的最大栅源电压（VGS/V）为25V。该元件适用于需要高效能开关操作的应用场合，如电源管理、电池保护电路以及各种便携式电子设备中的信号处理等，能够确保在高频率和大电流条件下稳定运行，同时降低能耗，提高系统效率。(NVATS4A103PZT4G)
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HNVATS4A103PZ 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNVATS4A103PZ 价格参考￥ 。 HXY HNVATS4A103PZ 封装/规格： TO-252-2L(DPAK), 此款P沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流（ID/A）可达50A，最大漏源电压（VDSS/V）为30V，导通电阻（RDON/mR）仅为9.5mΩ，且支持的最大栅源电压（VGS/V）为25V。该元件适用于需要高效能开关操作的应用场合，如电源管理、电池保护电路以及各种便携式电子设备中的信号处理等，能够确保在高频率和大电流条件下稳定运行，同时降低能耗，提高系统效率。(NVATS4A103PZT4G)。你可以下载 HNVATS4A103PZ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNVATS4A103PZ
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