• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNVTFS5826NLTWG
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• 商品编号： G50859574
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• 封装规格： DFN8L_3X3MM
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• 商品描述： 该N沟道场效应管（MOSFET）具有40安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏的最大漏源电压（VDSS），适用于高效率的开关应用。其导通电阻（RDON）仅为12毫欧，在大电流应用中能保持较低的发热水平。该MOSFET支持最高20伏的栅源电压（VGS），确保了宽范围的驱动兼容性。此元件广泛适用于电源管理、电池充电控制及各类电子设备中的信号放大与开关功能。 该N沟道场效应管（MOSFET）具有40安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏的最大漏源电压（VDSS），适用于高效率的开关应用。其导通电阻（RDON）仅为12毫欧，在大电流应用中能保持较低的发热水平。该MOSFET支持最高20伏的栅源电压（VGS），确保了宽范围的驱动兼容性。此元件广泛适用于电源管理、电池充电控制及各类电子设备中的信号放大与开关功能。