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MOSFETs HXY HNTR4171PT1G
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNTR4171PT1G
点击复制 - 商品编号： G50859572
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于需要高效率与紧凑尺寸的应用，其最大连续漏极电流为4.2A，能够承受30V的漏源电压。具有低至45毫欧姆的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效能。栅源电压工作范围为12V，确保了良好的驱动兼容性。该器件适用于电源转换、便携式设备及消费电子产品中的开关电路，以提供可靠的性能和长久的使用寿命。
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HNTR4171PT1G 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNTR4171PT1G 价格参考￥ 。 HXY HNTR4171PT1G 封装/规格： SOT-23, 这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于需要高效率与紧凑尺寸的应用，其最大连续漏极电流为4.2A，能够承受30V的漏源电压。具有低至45毫欧姆的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效能。栅源电压工作范围为12V，确保了良好的驱动兼容性。该器件适用于电源转换、便携式设备及消费电子产品中的开关电路，以提供可靠的性能和长久的使用寿命。。你可以下载 HNTR4171PT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNTR4171PT1G
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