• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HAM6968N
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• 商品编号： G50859571
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• 封装规格： TSSOP-8
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• 商品描述： 这款N+N沟道场效应管（MOSFET）具有6A的最大连续漏极电流，适用于中等功率需求的电路设计。其漏源电压为20V，能够满足多数消费电子及家用电器中的低压应用要求。该器件拥有21mΩ的低导通电阻，有助于减少能量损耗并提高系统效率。栅源电压范围为12V，确保了良好的控制特性和驱动能力。此款MOSFET适合需要高效开关性能和紧凑布局的应用场景，如电源管理、信号转换等领域。 这款N+N沟道场效应管（MOSFET）具有6A的最大连续漏极电流，适用于中等功率需求的电路设计。其漏源电压为20V，能够满足多数消费电子及家用电器中的低压应用要求。该器件拥有21mΩ的低导通电阻，有助于减少能量损耗并提高系统效率。栅源电压范围为12V，确保了良好的控制特性和驱动能力。此款MOSFET适合需要高效开关性能和紧凑布局的应用场景，如电源管理、信号转换等领域。