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MOSFETs HXY HSI2343CDST1GE3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSI2343CDST1GE3
点击复制 - 商品编号： G50859513
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款P沟道场效应管(MOSFET)具备4.1A的连续漏极电流(ID)能力，适用于中等功率需求的应用场景。它能承受30V的漏源电压(VDSS)，并拥有低至48毫欧姆的导通电阻(RDON)，确保了高效的电流传导同时减少能量损失。该MOSFET支持最大20V的栅源电压(VGS)，易于集成到多种电子设备的设计之中。因其优秀的电气性能，特别适合用于消费类电子产品、家用电器以及便携式装置中的开关控制和电源管理电路。
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HSI2343CDST1GE3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSI2343CDST1GE3 价格参考￥ 。 HXY HSI2343CDST1GE3 封装/规格： SOT-23, 这款P沟道场效应管(MOSFET)具备4.1A的连续漏极电流(ID)能力，适用于中等功率需求的应用场景。它能承受30V的漏源电压(VDSS)，并拥有低至48毫欧姆的导通电阻(RDON)，确保了高效的电流传导同时减少能量损失。该MOSFET支持最大20V的栅源电压(VGS)，易于集成到多种电子设备的设计之中。因其优秀的电气性能，特别适合用于消费类电子产品、家用电器以及便携式装置中的开关控制和电源管理电路。。你可以下载 HSI2343CDST1GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSI2343CDST1GE3
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