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MOSFETs HXY HSTF10N65K3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSTF10N65K3
点击复制 - 商品编号： G50858574
点击复制 - 封装规格： TO-220F(TO-220FP)
点击复制 - 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流（ID）和650V的最大漏源电压（VDSS），适用于需要高电压耐受能力的应用场景。其导通电阻（RDSON）仅为0.86Ω，在导通状态下可有效降低功耗。该MOSFET设计有30V的最大栅源电压（VGS），确保了在各种工作条件下的可靠性能。此元件适合用于一般电子产品中的电源管理、逆变电路以及便携式设备的电池保护等领域。
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HSTF10N65K3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSTF10N65K3 价格参考￥ 。 HXY HSTF10N65K3 封装/规格： TO-220F(TO-220FP), 此款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流（ID）和650V的最大漏源电压（VDSS），适用于需要高电压耐受能力的应用场景。其导通电阻（RDSON）仅为0.86Ω，在导通状态下可有效降低功耗。该MOSFET设计有30V的最大栅源电压（VGS），确保了在各种工作条件下的可靠性能。此元件适合用于一般电子产品中的电源管理、逆变电路以及便携式设备的电池保护等领域。。你可以下载 HSTF10N65K3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSTF10N65K3
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