• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HDMN61D8LQ7
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• 商品编号： G50858544
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• 封装规格： SOT-23
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.3A的连续漏极电流容量，最大漏源电压为60V，导通电阻高达1000mΩ，并能在20V的栅源电压下稳定工作。这些参数使其非常适合用于需要精确控制和低功耗的应用场合，比如消费电子产品的电源管理、信号切换及小型化设备的电路保护。其小巧的尺寸和优良的性能，为设计者提供了灵活的设计选择，同时保证了电路的可靠性和效率。 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.3A的连续漏极电流容量，最大漏源电压为60V，导通电阻高达1000mΩ，并能在20V的栅源电压下稳定工作。这些参数使其非常适合用于需要精确控制和低功耗的应用场合，比如消费电子产品的电源管理、信号切换及小型化设备的电路保护。其小巧的尺寸和优良的性能，为设计者提供了灵活的设计选择，同时保证了电路的可靠性和效率。