HAOTF10N65 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HAOTF10N65 价格参考¥ 。 HXY HAOTF10N65 封装/规格: TO-220F, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有10A的连续排水电流(ID)能力,在最大650V的漏源电压(VDSS)下能够可靠工作。其导通电阻(RDSON)仅为0.86Ω,在30V的栅源电压(VGS)驱动下可以实现快速开关。这些特性使其适用于高效率开关电源、便携式设备以及需要在紧凑空间内实现高性能转换的应用中。此MOSFET的设计确保了在各种消费电子产品中的高效能与耐用性。。你可以下载 HAOTF10N65 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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