• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HAOT10N65
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• 商品编号： G50858542
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• 封装规格： TO-220F
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• 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS高达650V，导通电阻RDON为860mΩ，栅源电压VGS为30V。该器件具备较高的耐压能力和稳定的开关特性，适合对功率控制要求较高的电路环境。适用于电源转换、电机驱动、高电压功率开关以及各类消费类电子设备中的功率管理模块，可为系统提供高效、可靠的能量控制支持，是一款性能均衡的基础半导体元件。 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS高达650V，导通电阻RDON为860mΩ，栅源电压VGS为30V。该器件具备较高的耐压能力和稳定的开关特性，适合对功率控制要求较高的电路环境。适用于电源转换、电机驱动、高电压功率开关以及各类消费类电子设备中的功率管理模块，可为系统提供高效、可靠的能量控制支持，是一款性能均衡的基础半导体元件。