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MOSFETs HXY HAOTF8N65
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HAOTF8N65
点击复制 - 商品编号： G50858541
点击复制 - 封装规格： TO-220F
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的最大工作电流（ID/A），能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V），适用于高电压应用场合。其导通电阻（RDSON/mR）为860毫欧姆，在大电流通过时可保持较低的功率损耗。栅源电压（VGS/V）的绝对值可达30V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适合用于需要处理较高电压与较大电流的应用，例如在消费电子产品的电源转换或保护电路中。
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HAOTF8N65 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HAOTF8N65 价格参考￥ 。 HXY HAOTF8N65 封装/规格： TO-220F, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的最大工作电流（ID/A），能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V），适用于高电压应用场合。其导通电阻（RDSON/mR）为860毫欧姆，在大电流通过时可保持较低的功率损耗。栅源电压（VGS/V）的绝对值可达30V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适合用于需要处理较高电压与较大电流的应用，例如在消费电子产品的电源转换或保护电路中。。你可以下载 HAOTF8N65 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HAOTF8N65
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