HTK7A65DSTA4QM 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HTK7A65DSTA4QM 价格参考¥ 。 HXY HTK7A65DSTA4QM 封装/规格: TO-220F, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有10A的连续电流能力(ID),能够承受高达650V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为860毫欧,在30V的栅源电压(VGS)下工作时,可有效控制高电压条件下的电流流动。该MOSFET适合用于高电压要求的消费电子产品中,如适配器、充电器以及家用电器的电源管理系统,为这些应用提供了可靠的开关性能和电压保护功能。。你可以下载 HTK7A65DSTA4QM 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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