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MOSFETs HXY HFDA28N50F
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HFDA28N50F
点击复制 - 商品编号： G50858539
点击复制 - 封装规格： TO-3P(TO-3PN)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备28A的电流处理能力（ID），最大承受漏源电压（VDSS）为500V，适用于多种高压环境下的电路设计。其导通电阻（RDSON）为150毫欧，在确保电路安全的同时，减少了能量损耗。此MOSFET支持最高20V的栅源电压（VGS），是构建高压直流转换器、便携式设备充电电路及其它需要高压隔离的应用的理想选择，提供了可靠的性能表现。
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HFDA28N50F 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HFDA28N50F 价格参考￥ 。 HXY HFDA28N50F 封装/规格： TO-3P(TO-3PN), 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备28A的电流处理能力（ID），最大承受漏源电压（VDSS）为500V，适用于多种高压环境下的电路设计。其导通电阻（RDSON）为150毫欧，在确保电路安全的同时，减少了能量损耗。此MOSFET支持最高20V的栅源电压（VGS），是构建高压直流转换器、便携式设备充电电路及其它需要高压隔离的应用的理想选择，提供了可靠的性能表现。。你可以下载 HFDA28N50F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HFDA28N50F
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