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MOSFETs HXY HNTMFS4C06N
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNTMFS4C06N
点击复制 - 商品编号： G50858303
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）提供150安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），适合应用于需要高电流承载能力的场合。其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为3.5毫欧，能够在大电流条件下显著减少热损耗，提高系统效率。支持最高20伏特的栅源电压（VGS），确保了快速、可靠的开关响应。适用于电源转换、电池管理系统以及其它要求高性能、低功耗的电子装置中。(NTMFS4C06NBT1G)
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HNTMFS4C06N 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNTMFS4C06N 价格参考￥ 。 HXY HNTMFS4C06N 封装/规格： DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管（MOSFET）提供150安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），适合应用于需要高电流承载能力的场合。其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为3.5毫欧，能够在大电流条件下显著减少热损耗，提高系统效率。支持最高20伏特的栅源电压（VGS），确保了快速、可靠的开关响应。适用于电源转换、电池管理系统以及其它要求高性能、低功耗的电子装置中。(NTMFS4C06NBT1G)。你可以下载 HNTMFS4C06N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNTMFS4C06N
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