HRJK03M4DPA 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HRJK03M4DPA 价格参考¥ 。 HXY HRJK03M4DPA 封装/规格: DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有150A的最大连续漏极电流,支持最高30V的漏源电压,适用于要求高电流承载能力的电路。其极低的导通电阻仅3.5毫欧,显著减少了发热,提高了系统的整体效率。配合±20V的栅源电压,保证了广泛的驱动兼容性和稳定性。该元件适合应用于需要快速开关响应和低损耗的场合,例如电源转换、电池管理及电子负载控制等领域。(RJK03M4DPA-00#J5A)。你可以下载 HRJK03M4DPA 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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