• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNTMFS4C08NT1G
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• 商品编号： G50858300
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有150安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源击穿电压，适合应用于需要高效能和高可靠性的电路中。其极低的导通电阻仅为3毫欧，显著降低了功率损耗，提升了系统的整体效率。配合20伏特的栅极阈值电压，确保了快速而精确的开关控制能力。该MOSFET适用于各种电源转换、信号处理等应用场景，能够满足复杂电子系统对元件性能的严格要求。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有150安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源击穿电压，适合应用于需要高效能和高可靠性的电路中。其极低的导通电阻仅为3毫欧，显著降低了功率损耗，提升了系统的整体效率。配合20伏特的栅极阈值电压，确保了快速而精确的开关控制能力。该MOSFET适用于各种电源转换、信号处理等应用场景，能够满足复杂电子系统对元件性能的严格要求。