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MOSFETs HXY HCSD16340Q3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HCSD16340Q3
点击复制 - 商品编号： G50858299
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有卓越的电气特性，最大漏极电流ID为150A，击穿电压VDSS达到30V，而导通电阻RDON低至3mΩ，工作于VGS=20V条件下。该MOSFET适用于高效率的电源管理及快速开关应用，例如电池充电器、便携式设备的电源适配器等场合，能够有效减少能量损耗，提升系统的整体性能。其小巧的封装设计也便于集成到各种紧凑型电子产品中。
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HCSD16340Q3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HCSD16340Q3 价格参考￥ 。 HXY HCSD16340Q3 封装/规格： DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有卓越的电气特性，最大漏极电流ID为150A，击穿电压VDSS达到30V，而导通电阻RDON低至3mΩ，工作于VGS=20V条件下。该MOSFET适用于高效率的电源管理及快速开关应用，例如电池充电器、便携式设备的电源适配器等场合，能够有效减少能量损耗，提升系统的整体性能。其小巧的封装设计也便于集成到各种紧凑型电子产品中。。你可以下载 HCSD16340Q3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HCSD16340Q3
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